硅片表層等離子表面處理獲得更好的鍵合效果：

       硅片的鍵合技術(shù)已廣泛應(yīng)用于傳感器和執(zhí)行器。但硅片的預(yù)鍵合通常是1萬℃在上述高溫條件下退火可達到較高的粘結(jié)強度，而高溫容易造成多種問題。
       特別是用于制造設(shè)備的硅片，高溫條件下硅與其他材料的熱不匹配導(dǎo)致熱應(yīng)力大，損壞設(shè)備，或發(fā)生一系列化學(xué)反應(yīng)和缺陷或污染，使設(shè)備失效。
       低溫鍵合中鍵合強度的顯著提高主要是由于鍵合前等離子體的表面預(yù)處理，通過調(diào)整表面預(yù)處理時間、偏置電壓大小、射頻功率、氣體流動速率等適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)，可以避免間隙或孔隙的形成。
       等離子表面處理活化通常被稱為干表面活化，主要是利用等離子體的能量和材料表面的物理或化學(xué)反應(yīng)過程來實現(xiàn)清洗、蝕刻和表面活化。在活性等離子體的轟擊下，硅片表面會產(chǎn)生物理化學(xué)反應(yīng)，使被清洗物體表面的物質(zhì)變成顆粒和氣體物質(zhì)，通過抽真空排出，達到清洗污染和激活表面的目的。
       活化硅片等離子表面處理用O2等離子體轟擊圓片表面，清除有機污染和氧化物，使圓片表面達到高度不規(guī)則的多孔結(jié)構(gòu)，使硅片達到超高的鍵合率。