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CRF plasma 等離子清洗機

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CRF等離子蝕刻機在清洗晶圓光刻膠工藝的微蝕刻應用

CRF等離子蝕刻機在清洗晶圓光刻膠工藝的微蝕刻應用:
       半導體設備中,對各電子元件的產品質量品控和穩定性標準較高,某些顆粒污染物質和殘渣均會對電子元件造成干擾,CRF等離子蝕刻機的干試處理在對半導體的功能增強上擁有明顯的優點,下面我們主要根據倒裝集成電路芯片及其晶圓表層光刻膠的清除2個層面來做好詳細介紹。

等離子蝕刻機

       伴隨著倒裝集成電路芯片技術應用的出現,干試的等離子清洗就與倒裝集成電路芯片相互促進,成為了增強其生產量的關鍵功能。根據對集成ic及其封承載板做好等離子體清洗設備處理,不但可以取得超干凈的焊接工藝表層,還能夠極大水平上增強焊接工藝表層的活性,合理有效避免虛焊及其極大減少斷層或空洞,增強填充物的邊界相對高度和包容性,持續改善打包封裝的拉伸強度,降低因各種不同原材料的膨脹系數而在表面間產生內應的剪切應力,加強產品的穩定性及其增強使用期限。
       CRF等離子蝕刻機在處理晶圓表層光刻膠時,CRF等離子蝕刻機清理可以清除表層光刻膠和其他有機化合物,還可以根據等離子體活化和粗化功能,對晶圓表層做好處理,能合理有效增強其表層侵潤性。相較于傳統式的濕法化工方式,等離子體清洗設備干試處理的可操控性更強,統一性更加好,同時對基材沒有危害。
       在做好CRF等離子蝕刻機操控時,其射頻電源所造成的熱運動會使產品質量小、運作速率快的帶負電自由電子迅速抵達負極,而正離子則是鑒于產品質量大、速度比較慢而難以在相同時間抵達負極,隨后就會在負極附近構成帶負電的鞘層,正離子在這個鞘層的加快之下,就會筆直的轟擊在硅片的表層,隨后使得表層的化學反應加快,而且會使得反應生成物脫離,因而其離子注入速度極快,離子的轟擊也會使各向異性離子注入得以實現。


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