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雙基片臺結構具有集聚plasma的作用，使各基團向基片臺范圍內靠攏：
使用圓柱諧振腔式MPCVD設備可以根據增強沉積壓力來增強plasma密度，在基片臺上實現金剛石膜的快速生長。改變石英管位置、腔體結構、調諧板靈活程度等方式達到增強功率密度的目的。把石英管設置在沉積臺下方，增加諧振腔中調諧板與調諧活塞移動范圍的方式，來達到減小plasma體污染，增加沉積速率的目的。
誠峰plasma內基團的相對譜線強度能夠反映出氣體的離解程度，同時也是金剛石沉積速率和質量的重要因素，上基片臺作為尖端在微波電磁場中電場強度大，附近的離子發生激烈運動，并不斷與其他粒子發生碰撞，使plasma密度增強。高H譜線強度說明雙基片結構下plasma能產生濃度更高的H自由基，H自由基能刻蝕sp'C和石墨等非金剛石相，增強沉積金剛石的質量。
相比于雙基片結構，單基片臺下各個位置基團強度都十分接近，說明雙基片臺結構具有集聚plasma的作用，能使各基團向基片臺范圍內靠攏，在基片臺范圍內均勻性好，而基片臺范圍外則均勻性差，而單基片臺對plasma的集聚作用則較弱，plasma更加發散。
此外在雙基片結構下，隨著甲烷濃度增加，C2基團強度上升更加顯著，能有效增強金剛石沉積速率；雙基片結構下的plasma體電子溫度更低，內部粒子間的碰撞更為劇烈，且電子溫度隨氣壓上升而降低。
