誠峰PDMS等離子清洗機鍵合的關鍵工藝:
       鑒于半導體技術的飛速發(fā)展，對生產(chǎn)工藝確立了更高一些的標準，特別是在相對于半導體圓片的表層質(zhì)量標準變得越來越高，首要原因是圓片表面的顆粒和金屬材料殘渣的沾染會嚴重影響器件的質(zhì)量和成材率，當前集成電路生產(chǎn)中，鑒于存在著晶圓表面沾染問題，超過50%的集成電路材料丟失。
       在半導體制造過程中，幾乎每一道工序都需要進行圓片清洗的清洗質(zhì)量，嚴重影響著器件的性能。正因為圓片清洗是半導體制造過程中最為重要、最為頻繁的步驟，而其工藝質(zhì)量直接影響著設備的成品率、性能和可靠性所以國內(nèi)外各大公司、研究所等都在不斷地對清洗工藝進行研究。離子清洗是一種先進的干式清洗技術，具有綠色環(huán)保等特點，隨著微電子行業(yè)的快速發(fā)展，等離子清洗機在半導體工業(yè)中的應用日益增多。

       現(xiàn)在，相對于PDMS和硅基材料的低溫粘結有多種方法。用硅-PDMS制備多層結構微閥時，直接旋涂PDMS，固化于硅片上，是一種可逆鍵合的方法，該方法為可逆鍵合，結合強度不高。生物芯片采用crf等離子清洗機對PDMS與帶氧化層掩膜的硅襯底進行分別處理，使之相互結合。該方法實際上是PDMS和SiO2掩膜的結合體，但是在硅片上熱氧化得到的SiO2膜層與PDMS的結合效果并不理想。采用等離子體法對PDMS和帶鈍化層的硅片進行了表面處理，并在常溫下成功地進行了鍵合。人們普遍認為，通過氧等離子體改性來實現(xiàn)PDMS與其他基片結合的技術是經(jīng)過氧等離子體表面改性后，PDMS襯底應及時貼合，否則PDMScrf等離子清洗機表面將迅速恢復疏水性，從而導致膠接失效，所以操作的過程時間比較短，一般是1~10min。然而，一般在需鍵合的PDMS襯底和硅襯底上都會有相應的微細結構，在粘合前需要用一定的時間對齊結構圖，因此，如何延長PDMS活性面的時間，就成了保證誠峰PDMS等離子清洗機粘合質(zhì)量的關鍵。
       crf等離子清洗機粘具有工藝簡單、操作方便、無廢料處理及環(huán)境污染等優(yōu)點。但是，它不能去除碳、以及其他非揮發(fā)性金屬材料或金屬氧化物殘渣。等離子體清洗常用于光刻膠的脫除工藝中，在強電場作用下，在等離子體反應系統(tǒng)中引入少量氧，使氧生成等離子體，快速將光刻膠氧化成揮發(fā)性氣態(tài)物質(zhì)。此種清洗工藝具有操作簡便、效率高、表面清潔、不需酸堿和有機溶劑等優(yōu)點，且不需酸、堿、有機溶劑等，受到越來越多的關注。