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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

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crf電漿清洗機(jī)在引線鍵合前必備的封裝領(lǐng)域設(shè)備

crf電漿清洗機(jī)在引線鍵合前必備的封裝領(lǐng)域設(shè)備:
        在干法清洗應(yīng)用中,plasma是必不可少的一部分。由于微電子技術(shù)的不斷發(fā)展,等離子體清洗其優(yōu)勢也日益顯著。半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,半導(dǎo)體晶圓芯片表面會存在各類顆粒狀、金屬離子、有機(jī)化合物及殘余的磨料顆粒狀等沾污雜質(zhì)。為確保集成電路IC集成度和器件性能,必須在不破壞芯片及其他所用材料的表面特性、電特性的前提下,清洗去除芯片表面上的這些有害沾污雜質(zhì)物。

電漿清洗機(jī)

        否則,它們將對芯片性能造成致命影響和缺陷,極大地降低產(chǎn)品合格率,并將制約器件的進(jìn)一步發(fā)展。目前,器件生產(chǎn)中的幾乎每道工序都有清洗這一步驟,其目的是去除芯片表面沾污、雜質(zhì),現(xiàn)廣泛應(yīng)用的物理化學(xué)清洗方法大致可分成濕法清洗和干法清洗兩類,尤其是干法清洗發(fā)展很快,其中的等離子體清洗優(yōu)勢明顯,在半導(dǎo)體元器件及光電子元器件封裝領(lǐng)域
中獲得推廣應(yīng)用。
       crf電漿清洗機(jī)清洗在微電子封裝領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,等離子體清洗技術(shù)的成功應(yīng)用依賴于工藝參數(shù)的優(yōu)化,包括過程壓力、等離子激發(fā)頻率和功率、時(shí)間和工藝氣體類型、反應(yīng)腔室和電極的配置以及待清洗工件放置位置等。半導(dǎo)體后部生產(chǎn)工序中,由于指印、助焊劑、焊料、劃痕、沾污、微塵、樹脂殘跡、自熱氧化、有機(jī)化合物等,在器件和材料表面形成各類沾污,這些沾污會明顯地影響封裝生產(chǎn)及產(chǎn)品質(zhì)量,利用等離子體清洗技術(shù),能夠很容易清除掉生產(chǎn)環(huán)節(jié)中形成的這些分子水平的污染,從而顯著地改善封裝的可制造性、可靠性及成品率。
      在芯片、微電子機(jī)械系統(tǒng)MEMS封裝中,基板、基座與芯片之間有大量的引線鍵合,引線鍵合仍然是實(shí)現(xiàn)芯片焊盤與外引線連接的重要方式,如何提高引線鍵合強(qiáng)度一直是行業(yè)研究的問題。射頻驅(qū)動的低壓crf電漿清洗機(jī)是一種有效的、低成本的清潔方法,能夠有效地去除基材表面可能存在的污染物,例如氟化物、鎳的氫氧化物、有機(jī)溶劑殘留、環(huán)氧樹脂的溢出物、材料的氧化層,等離子清洗一下再鍵合,會顯著提高鍵合強(qiáng)度和鍵合引線拉力的均勻性,它對提高引線鍵合強(qiáng)度作用很大。在引線鍵合之前,氣體等離子體技術(shù)可以用來清洗芯片接點(diǎn),改善結(jié)合強(qiáng)度及成品率。

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