等離子體清洗方法可以清洗硅片表面的殘留物，并且其成本低，勞動量小，工作效率高。接下來詳細(xì)分析等離子清洗方法在硅片的清洗流程以及工藝參數(shù)

1、硅片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟:首先進(jìn)行沖洗流程，然后進(jìn)行該氣體等離子體啟輝;所用氣體選自02、Ar、 N2中的任-種;氣體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm,時(shí)間1-5s;過程的T藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力1040毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率 250-400W, 時(shí)間1-10s；
2、等離子體清洗方法，其特征在于所用氣體為02;
3、等離子體清洗方法，其特征在于4 i體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時(shí)間3s;啟輝過程的工藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力15 亳托，工藝氣體.流量300sccm，. 上電極功率300W，時(shí)間Ss;
4、等離子體清洗方法，其特征在于氣體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力10-20亳托，工藝氣體流量100-300sccm，時(shí)間1-5s;啟輝過程的工藝參數(shù)設(shè)置為:(腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300ccm，上電極功率 250-400W，時(shí)閭1-5s;
5、等離子體清洗方法，其特征在于氣體沖沈流程的I.藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力15毫托，工藝體流量300ccm，時(shí)間3s;過程的工藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力15亳托，工藝體流量300sccm，上電極 功率300W，時(shí)間Ss等離子清洗涉及刻蝕工藝領(lǐng)域，并且完全滿足去除刻蝕工藝后硅片表面殘留顆粒的清洗.
       等離子體清洗方法在刻蝕過程中，顆粒的米源很多:刻蝕用氣體如C12、HBr、CF4等都具有腐蝕性，刻蝕結(jié)束后會在硅片表面產(chǎn)生一定數(shù)量的顆粒:反應(yīng)室的石英蓋也會在等離子體的轟擊作用下產(chǎn)生石英顆粒:反應(yīng)室內(nèi)的內(nèi)襯也會在較長時(shí)間的刻蝕過程中產(chǎn)生金屬顆粒。刻蝕后硅片表面殘留的顆粒會阻礙導(dǎo)電連接，導(dǎo)致器件損壞。因此，在刻蝕工藝過程中對顆粒的控制很重要。